表面充电
  卫星表面被充电到很高电位,其影响并不是立刻显现的,而不同电位区域之间的放电则可能损坏表面材料,形成的电磁干扰还会损坏星上的电子设备。地磁扰动期间卫星周围低能等离子体参数的改变,以及光电离效应是表面充电的主要起因。由于低能等离子体的能量不高,不会直接作用于星内仪器。卫星表面充电可以通过选用恰当的材料和正确的接地技术有效地防止。

  表面充电现象大多发生于地磁暴期间,在地方时子夜到黎明段尤为严重,但其他时段也有发生。如果在昼夜交替的时间段发生地磁暴,影响就更为严重,因为光电离效应的突然出现或消失会触发放电过程。另外调姿点火也会改变局部的等离子体状态而引发放电过程。

  与表面充电关系最为密切的地磁活动指数是K指数,每三小时可以得到一个观测值,其范围是0到9(0=平静,9=严重扰动)。K指数是由多个地磁台站的数据综合得出的,可以用来替代真实的等离子体参数。一般地,表面充电多开始于K=4和K=5的情形,K大于6时的可能性很大。地磁亚暴的地域性强一些,因而单纯地用K指数估算等离子体状态往往会低估处在特定区域的卫星的充电效应。因此,用卫星所在磁力线投影区域的地磁探测结果往往更为有效。