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设 计 研 制
      设计阶段主要是为航天器设计部门提供精细化的空间环境分析和效应分析,为航天器的空间环境防护加固设计提供参考。例如,卫星辐射剂量初步三维分析或详细三维分析、卫星表面充放电效应分析、卫星内部充放电效应分析、关键元器件在轨单粒子效应发生率分析等。
      上述服务为定制服务,如您有相关需求,请与我们联系

1、航天器三维辐射剂量分析
      可以根据要求建立不同精细度的航天器三维屏蔽模型,进行屏蔽分析并计算剂量,可以计算航天器内特定部位的剂量,可以根据航天器辐射加固设计的要求进行不同设计结构下的剂量比较,并可以提供辐射加固设计建议供参考。
图1 航天器三维屏蔽剂量分析

2、航天器表面充电分析
      可以根据要求建立航天器的三维表面充电有限元计算模型,给出各种空间环境状况(平静、扰动、光照、阴影)下航天器的表面电位分布,供设计人员参考,也可以针对特殊的太阳电池阵结构进行局部分析,还可以进行表面浮动电位计算、高压电池阵电流泄露计算等。
图2 天宫一号的表面充电仿真计算

3、单粒子效应分析
      单粒子效应对各种轨道飞行器都是有危害的,是目前最严重的空间环境效应之一。我们能够预测不同轨道的航天器在不同空间环境条件下的器件的单粒子翻转率,也可以预测复杂三维屏蔽条件下敏感器件的单粒子翻转率,为航天器设计及器件防护提供参考。

表1 高度450公里,倾角42°轨道上的SRAM型FPGA配置存储器的翻转率 (bit-1.day-1)
屏蔽厚度(铝) 3mm屏蔽 5mm屏蔽
翻 转 率 太阳平静 1.50E-7 1.46E-7
普通太阳质子事件峰值 1.67E-7 1.61E-7
特大太阳质子事件峰值 地磁平静 1.95E-6 7.31E-7
地磁暴 3.36E-6 1.65E-6

4、深层充电效应分析
      深层充电效应主要影响中高轨道的航天器。我们能够给出航天器内部特定部位的高能电子注量,并利用介质充电模型进行局部的深层充电效应计算,并评估深层充放电的风险。

图3 介质深层充电平板背接地计算模型及介质内电场分布
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